Graphite SiC Crucible

1.အဆင့်မြင့်နည်းပညာ：အသုံးပြုသောပုံသွင်းနည်းသည် ကောင်းသော isotropy၊ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ၊ မြင့်မားသောခိုင်ခံ့မှု၊ တစ်ပုံစံတည်းကျစ်လစ်သိပ်သည်းမှုနှင့် အပြစ်အနာအဆာမရှိသော ဖိအားမြင့်မားသောပုံသွင်းနည်းဖြစ်သည်။
2. Corrosion resistance : အဆိုပါ crucible သည် အပူချိန် အကွာအဝေး 400-1600°C ရှိပြီး မတူညီသော အကွာအဝေးအလိုက် ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။
3.High-temperature resistance : အသုံးပြုထားသော inorganic non-metallic material သည် မြင့်မားသော သန့်စင်မှုရှိပြီး သတ္တု အရည်ပျော်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အန္တရာယ်ရှိသော အညစ်အကြေးများကို ထည့်သွင်းပေးပါသည်။
4.Oxidation resistance ：အဆင့်မြင့်ဖော်မြူလာများနှင့် တင်သွင်းလာသော antioxidant ပစ္စည်းများအသုံးပြုခြင်းသည် refractory material ၏ antioxidant စွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု- SiC သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ မြင့်မားသောအပူချိန်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။SiC crucible များကို အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောအသုံးချမှုများအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။

ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်- SiC သည် အက်ဆစ်များနှင့် အခြားအဆိပ်ဖြစ်စေသော အရာများဖြင့် ဓာတုတိုက်ခိုက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး SiC သည် သွန်းသောသတ္တုများ၊ ဆားများနှင့် အက်ဆစ်များအပါအဝင် ဓာတုပစ္စည်းအမျိုးမျိုးဖြင့် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။

အထူးကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်- SiC သည် နိမ့်ပါးသော အပူချဲ့ကိန်း ရှိပြီး ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို လျင်မြန်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။၎င်းသည် SiC crucibles သည် လျင်မြန်သော အပူနှင့် အအေးစက်ဝန်းများပါ၀င်သည့် အပလီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

ညစ်ညမ်းမှုနည်းခြင်း- SiC သည် ဒြပ်ဝတ္ထုအများစုနှင့် မတုံ့ပြန်သည့် မသန်စွမ်းသော အရာတစ်ခုဖြစ်သည်။ဆိုလိုသည်မှာ SiC crucibles များသည် ပစ္စည်းများ သိပ္ပံသုတေသနနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော စီမံဆောင်ရွက်နေသော ပစ္စည်းများကို ညစ်ညမ်းစေခြင်းမရှိကြောင်း ဆိုလိုသည်။

တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း- SiC crucible များသည် သင့်လျော်သော စောင့်ရှောက်မှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဖြင့် နှစ်အတော်ကြာအောင် ကြာရှည်ခံနိုင်သည်။၎င်းတို့သည် အခြားသော Crucible အမျိုးအစားများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော ရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှု- SiC သည် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့သည် အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် အသုံးပြုရန်သင့်လျော်သည်။